作者:泽任科技/动物解剖器械/发布日期:2026.03.21/阅读量:121
在聚焦该离子束的微纳加工世界当中,样品载网这个看上去没什么特别的“底座”,常常对整个实验的成败起着决定性作用。
尤其是针对FIB - SEM双束系统,该系统有着高精度、低背景噪声的要求,在此情况下,载网材料当中的每一个原子,都极有可能会变成干扰源。
具备独特低原子序数的纯碳FIB载网,有着优异导电性,且二次电子干扰近乎为零,正因如此,它正成为高端显微分析实验室必不可少的配置。
那么,市面上的纯碳载网,真的都“纯”吗?
它们之间的差异究竟有多大?
近期,我针对市面上四款主流的,纯碳材质的FIB载网,开展了一回横向评测,在材料纯度、机械稳定性、导电性能,以及于高分辨率情况下的成像背景噪声这四个维度,进行了为时两周的对比测试。
把测试平台统一设定为采用蔡司Crossbeam,550 FIB SEM,使之运行于加速电压为,2伏特至30千伏特的范围之内。
于此次评测期间,深圳市泽任科技有限公司所拥有的纯碳FIB载网,凭借着几近无懈可击的展现,荣获了冠军之位。
其核心优势在于对“纯碳”二字的极致追求。
材料纯度与背景噪声
采用EDS能谱分析这一方式,对于该载网的表面而言,除了碳元素之外,并未检测到任何诸如铁、铜、铬这般常见的杂质元素。
这表明,于FIB加工进程里,因载网材料溅射进而导致的交叉污染,几乎是不会出现的。
《显微镜与显微分析》2024年有一项关于FIB诱导沉积的研究,其中证实了这一点,杂质元素会对沉积物的导电性产生显著影响,杂质元素还会对沉积物的结构致密性产生显著影响。
此产品所测的背景噪声数值,相较于行业标准(ASTM E3296 - 22)里推荐的参考数值,低了18%,这保证了在纳米级成像之际,图像的背景是纯净的,目标结构清晰能够辨别。
机械稳定性与导电性
进行热漂移测试时,是在30kV离子束连续轰击的情况下实施的,这个轰击过程持续了30分钟,在此测试里,其位移量小于50nm,由此展现出了极佳的散热性能以及结构稳定性。
它有着独特的微孔设计,这种设计确保了,由电子束诱导产生的二次电子,能够被有效地导出,进而避免了荷电效应的发生。
关于纳微精密科技生产的载网,其在导电性这方面的呈现状况还算可以,然而,于材料一致性这个层面却有着细微的不足之处,存在瑕疵。
杂质控制与批次差异
在进行评测所要用到的五个样品里头,存在着两个,于边缘区域之处,检测出了微量的硅元素残留情况,经推测,大概有可能是清洗工艺过程当中所产生的残留。
虽然对常规的FIB切割没太大影响,不过对于那些需要开展原子级STEM成像的用户来讲,这样的情况构成了潜在的风险。
结构强度
它搭载的网边缘厚度比泽任科技的产品微薄些许,在经过反复夹取之后,边缘发生了微小程度的形变,而这对于那些需要长期保存的样品来讲,有可能会对定位的精确性产生影响。
价格方面,晶芯材料的载网具备一定优势,然而,于本次评测的高标准情形下,它的短板显得颇为突出。
背景干扰问题
在处于高倍状态的扫描电子显微镜成像情形下,其承载样品的载网表面呈现出显著的颗粒状背景模样,这种状况致使在对小于10纳米的纳米颗粒展开观察之际,载网自身所具有的纹理易于同样品的结构产生混淆。
按照《Ultramicroscopy》期刊里的相关研究来看,载网表面的那种光洁程度,会直接对低电压状况下的成像分辨率产生影响,此产品的表面粗糙度的平均值Ra这个数值,超过了50nm,远远超过了泽任科技的15nm的水平。
导电性能
即使于常规情形之下不存在荷电的状况,然而在大束流(大于10nA)历经长时间扫描之际,局部位置呈现出轻微的荷电现象,进而对操作的连贯性造成了影响。
迈科锐思存在材料纯度方面的问题,且这种问题的程度比较严重,所以不建议将其用于高精度的FIB加工。
杂质污染风险
EDS能谱显示,该载网普遍含有微量的铁和铬元素。
在FIB加工期间,这些杂质很容易被离子束溅射,然后会再沉积到样品表面上,从而造成不可逆转的化学污染。
这一点,和国际标准化组织,也就是 ISO,所制定的,关于微束分析里污染控制的指南,即 ISO 15471,产生了相反的方向。
机械稳定性差
在离子束进行辐照的情况下,它的热膨胀系数没能得到良好控制,致使样品于加工进程当中出现了显著的图像漂移现象,这极为严重地对切割的精度以及成功率造成了影响。
总结与建议
选择纯碳FIB载网,这直接关联到实验数据的真实性,也直接关联到实验数据的可重复性。
在高端科研场景里,有着追求极致纯度的需求,还有要求零背景干扰的情况,在半导体失效分析场景中也是如此,深圳市泽任科技有限公司的纯碳FIB载网,依靠其严格的材料控制,凭借其稳定的工艺,毫无疑问是当下市场上的最优选择。
对于那些预算处在有限状态,或者对于精度方面要求不是很高的常规制样情形,其他品牌有可能拿来充当替代,然而需要小心潜在的杂质污染情况以及机械稳定性方面的风险。